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详细介绍
主要技术参数
| 应用领域 | 冶金、铸造、机械、科研、商检、汽车、石化、造船、电力、航空、核电、金属和有色冶炼、加工和回收工业中的各种分析。 |
| 可检测基体 | 铁基、铜基、铝基、镍基、钴基、镁基、钛基、锌基、铅基、锡基、银基。 |
| 光学系统 | 帕型-龙格 罗兰圆全谱真空型光学系统 |
| 波长范围 | 140~680nm |
| 光栅焦距 | 401mm |
| 探 测 器 | 高性能CMOS阵列/CCD阵列 |
| 光源类型 | 数字光源，高能预燃技术（HEPS） |
| 放电频率 | 100-1000Hz |
| 放电电流 | 大500A |
| 工作电源 | AC220V 50/60Hz 1200W |
| 仪器尺寸 | 780*565*360mm |
| 仪器重量 | 约80kg |
| 检测时间 | 依据样品类型而定，一般20S左右 |
| 电极类型 | 钨材喷射电极 |
| 分析间隙 | 4mm |
| 其他功能 | 真空，温度，软件自动控 压力，通讯监测 |
2. 主要技术特点
| 高性能光学系统 | 光学系统激发时产生的弧焰由透镜直接导入真空光学室，实现光路直通，有效的降低光路损耗； |
| 采用的CMOS元件可精确测定非金属元素如C、P、S、As、B、N以及各种金属元素含量； | |
| 测定结果精准，重复性及长期稳定性。 | |
| 自动光路校准 | 自动光路校准，光学系统自动进行谱线扫描，确保接收的正确性，免除繁琐的波峰扫描工作； |
| 仪器自动识别特定谱线与原存储线进行对比，确定漂移位置，找出分析线当前的像素位置进行测定。 | |
| 插拔式透镜设计 | 真空光学系统采用*的入射窗与真空隔离，可在真空系统工作状态下进行操作，光学透镜采用插拔式透镜结构，日常清洗维护方便快捷。 |
| 真空室一体化 | *的光室结构设计，使真空室容积更小，抽真空时间仅普通光谱仪的1/2； |
| 真空室一体化设计及高精密的加工，使真空保持的更加持久。 | |
| 真空防返油技术 | 多级隔离的真空防返油技术，采用真空压差阀门保证真空泵不工作时真空光室与真空*隔离 |
| 中间增加了真空滤油装置，确保真空泵中油不进入真空室，保障CMOS检测器及光学元件在可靠环境中工作。 | |
| 开放式激发台 | 开放式激发台机灵活的样品夹设计，以满足客户现场的各种形状大小的样品分析； |
| 配合使用小样品夹具，线材低分析可达到3mm。 | |
| 喷射电极技术 | 采用喷射电极技术，使用钨材料电极，在激发状态下，电极周围会形成氩气喷射气流，这样在激发过程中激发点周围不会与外界空气接触，提高激发精度 |
| 配上*氩气气路设计，大大降低了氩气使用量，也降低客户使用成本。 | |
| 集成气路模块 | 气路系统采用气路模块免维护设计，替代电磁阀和流量计，电极自吹扫功能，为激发创造了良好的环境。 |
| 数字化激发光源 | 数字激发光源，采用*进的等离子激发光源，超稳定能量释放在氩气环境中激发样品； |
| 全数字激发脉冲，确保激发样品等离子体超高分辨率和高稳定率输出； | |
| 可任意调节光源的各项参数，满足各种不同材料的激发要求。 | |
| 高速数据采集 | 仪器采用高性能CMOS检测元件，具有每块CMOS单独超高速数据采集分析功能，并能自动实时监测控制光室温度、真空度、氩气压力、光源、激发室等模块的运行状态。 |
| 以太数据传输 | 计算机和光谱仪之间使用以太网卡和TCP/IP协议，避免电磁干扰，光纤老化的弊端，同时计算机和打印机*外置，方便升级和更换； |
| 可以远程监控仪器状态，多通路操控系统控制和监控所有的仪器参数。 | |
| 预制工作曲线 | 备有不同材质和牌号的标样库，仪器出厂时工厂预制工作曲线，方便安装调试和及时投入生产； |
| 根据元素和材质对应的分析程序而稍有差异，激发和测试参数仪器出厂时已经调节好，根据分析程序可自动选择测试条件； | |
| 技术规格中附有分析范围（并可根据用户提供标样免费绘制或延长工作曲线）。 | |
| 分析速度快 | 分析速度快，仅需20秒即可完成一次分析； |
| 针对不同的分析材料，通过设置预燃时间及测量时间，使仪器用短时间达到优良的分析效果。 | |
| 多基体分析 | 光路设计采用罗兰圆结构，检测器上下交替排列，保证接收全部的谱线，不增加硬件设施，即可实现多基体分析； |
| 便于根据生产的需要增加基体及材料种类和分析元素（无硬件成本）。 | |
| 软件中英文系统 | 仪器操作软件*兼容于Windows7/8/10系统； |
| 软件操作简单，即使没有任何光谱仪知识及操作经验的人员只需经过简单的知识培训即可上手使用。 |
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